IRLU024NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-251-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：17 A
Rds漏源导通电阻：110毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：10 nC
Pd-功率耗散：38 W
封装：Tube
配置：单
高度：6.22毫米
长度：6.73 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：2.38毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLU024NPBF SP001553260
单位重量：340毫克

特征
•逻辑级门驱动
•表面贴装（IRLR024N）
•直引线（IRLU024N）
•先进的工艺技术
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET®功率MOSFET

利用先进的处理技术，使每硅面积的导通电阻达

到。这种好处与HEXFET功率MOSFET众所周

知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，

为设计人员提供了一种非常有效的器件，可广泛

用于各种应用中。
D-PAK设计用于使用气相，红外或波峰焊技术进

行表面安装。直引线版本（IRFU系列）用于通

孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功耗

可能高达1.5瓦。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	17	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	12
IDM	Pulsed Drain Current CD	72
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	45	W
	Linear Derating Factor	0.3	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 16	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy<D	68	mJ
IAR	Avalanche CurrentCD	11	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	4.5	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt ®	5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C

型号/规格

IRLU024NPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-251

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装