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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Id-连续直流电流:23 A
Rds上漏源导通电阻:90毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:5.5 V
Qg-血浆甲醛:37 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:38 W
通道模式:增强
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:11 S
下降时间:8.4 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:32 ns
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:18 ns
典型起始延迟时间:10 ns
零件号别名:IRFS23N15DTRLP SP001557206
单位重量:550毫克
应用领域
•高频DC-DC转换器
•无铅
好处
•低的栅极到漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容,包括有效的COSS来简化设计,(请参见应用笔记AN1001)
•全面表征雪崩电压和电流
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
23 |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
17 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
92 |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation <v |
3.8 |
W |
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
136 |
|
|
Linear Derating Factor |
0.9 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 30 |
V |
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt CT |
4.1 |
V/ns |
TJ |
Operating Junction and |
-55 to + 175 |
°C |
TSTG |
Storage Temperature Range |
||
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw® |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|
IRFS23N15D
IR
TO-263
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装