IRF40H210 MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：201 A
Rds漏源导通电阻：1.4毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.2 V
Qg-萘甲酸：70 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：125 W
通道模式：增强
商标名：StrongIRFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.83毫米
长度：6 mm
MOSFET晶体管类型：1 N沟道
宽度：5毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：113 S
下降时间：34 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：25 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：65 ns
典型起始延迟时间：9.2 ns
零件号别名：IRF40H210 SP001571340

应用
有刷电机驱动器应用
BLDC电机驱动器应用
电池供电的电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器的应用
谐振模式电源
ORing和冗余电源开关
DC/ DC和AC / DC转换器
DC/ AC逆变器
好处
改进了Gate，雪崩和动态dV / dt坚固性
全面表征的电容和雪崩SOA
增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅，符合RoHS
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
ID @ TC(Bottom) = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	201	A
ID @ TC(Bottom) = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	127
ID @ TC(Bottom) = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V(Wire Bond Limited)	100
IDM	Pulsed Drain Current	400*
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	125	W
	Linear Derating Factor	1.0	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

型号/规格

IRF40H210

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装