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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:21 A
Rds上漏源导通电阻:117毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:64.7 nC
Pd-功率耗散:120 W
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
MOSFET晶体管类型:1 P通道
宽度:5.31毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFP9140NPBF SP001556802
单位重量:38 g
特征
•先进的工艺技术
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•P通道
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,
以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET
Power M0SFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用
的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其有效和
可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
T0-247封装是商业工业应用的首选,在这些应用中,
较高的功率水平会禁止使用T0-220器件。 T0-247与T0-218相似,
但由于其隔离的安装孔而优于先前的T0-218封装。
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-23 |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-16 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CDa: |
-76 |
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
140 |
W |
|
Linear Derating Factor |
0.91 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
士 20 |
V |
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy0a: |
430 |
mJ |
IAR |
Avalanche CurrentCD |
-11 |
A |
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCD |
14 |
mJ |
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt CTa: |
-5.0 |
V/ns |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 scre |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|
IRFP9140NPBF
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
卷带编带包装