IRFP1405PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：160 A
Rds上漏源导通电阻：5.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-萘甲酸：120 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：310 W
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
上升时间：160 ns
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFP1405PBF SP001572614
单位重量：38 g
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅
描述
这款HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术，

使每个硅面积的导通电阻极低。此设计的其他

功能是175°C的结温，快速的开关速度和改进

的重复雪崩额定值。这些功能相结合，

使该设计成为一种非常有效和可靠的设备，

可用于多种应用。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	160	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	110
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Package Limited)	95
IDM	Pulsed Drain Current CD	640
PD @TC = 25°C	Power Dissipation	310	W
	Linear Derating Factor	2.0	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS (Thermally limited)	Single Pulse Avalanche EnergyG)	530	mJ
E_AS (Tested )	Single Pulse Avalanche Energy Tested Value ®	1060	mJ
IAR	Avalanche Current CD	See Fig.12a, 12b, 15, 16	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy @	See Fig.12a, 12b, 15, 16	mJ
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting Torque, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRFP1405PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装