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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
MOSFET封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续直流电流:409 A
Rds漏源导通电阻:1.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:460 nC
Pd-功率耗散:375 W
商标名:StrongIRFET
封装:Tube
高度:15.65毫米
长度:10毫米
宽度:4.4毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFB7430PBF SP001551786
单位重量:6 g
应用领域
•有刷电机驱动应用
•BLDC电机驱动器应用
•电池供电电路
•半桥和全桥拓扑
•同步整流器的应用
•谐振模式电源
•ORing和冗余电源开关
•DC / DC和AC / DC转换器
•DC / AC逆变器
好处
•改进的门,雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
•符合RoHS,无卤素*
最大绝对额定值
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
409CD |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
289CD |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) |
195 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current (£) |
1524 |
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
375 |
W |
|
Linear Derating Factor |
2.5 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lbf• in (1.1N• m) |
IRFB7430PBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装