IRFB7430PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
MOSFET封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续直流电流:409 A
Rds漏源导通电阻:1.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:460 nC
Pd-功率耗散:375 W
商标名:StrongIRFET
封装:Tube
高度:15.65毫米
长度:10毫米
宽度:4.4毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFB7430PBF SP001551786
单位重量:6 g
应用领域
•有刷电机驱动应用
•BLDC电机驱动器应用
•电池供电电路
•半桥和全桥拓扑
•同步整流器的应用
•谐振模式电源
•ORing和冗余电源开关
•DC / DC和AC / DC转换器
•DC / AC逆变器

好处
•改进的门,雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
•符合RoHS,无卤素*
最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

409CD

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

289CD

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)

195

IDM

Pulsed Drain Current (£)  

1524

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

375

W

 

Linear Derating Factor

2.5

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10lbfin (1.1Nm)

型号/规格

IRFB7430PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装