IRFR6215TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：13 A
Rds上漏源导通电阻：580毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-萘甲酸：66 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：110 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 P通道
类型：初步
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：3.6 S
下降时间：37 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：36 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：53 ns
典型起始延迟时间：14 ns
零件号别名：IRFR6215TRPBF SP001571562
单位重量：2 g
特征
P通道
175°C工作温度
表面贴装（IRFR6215）
直引线（IRFU6215）
先进的工艺技术
快速切换
完全雪崩等级
无铅
描述
来自国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，以使每个硅面积的导通电阻尽可能低。 这种优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效的器件，可广泛用于各种应用中。
D-PAK设计用于使用气相，红外或波峰焊技术进行表面安装。 直引线版本（IRFU系列）用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中，功耗可能高达1.5瓦。
最大绝对额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-13 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-9.0 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current † |
-44 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
110 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.71 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy ‚† |
310 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche Current † |
-6.6 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy † |
11 |
mJ |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dtƒ |
5.0 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
IRFR6215TRPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
