IRF8910TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：10 A
Rds上漏源导通电阻：14.6毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.55 V
Qg-萘甲酸：7.4 nC
最小工作温度：-55°C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：24 S
下降时间：4.1 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：10 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：9.7 ns
典型起始延迟时间：6.2 ns
零件号别名：IRF8910TRPBF SP001555820
单位重量：160毫克
应用领域
•用于台式机，服务器，图形卡，游戏机和机顶盒中的POL转换器的双SO-8 MOSFET
•无铅
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS（on）
•超低门阻抗
•完全表征的雪崩电压和电流
•20V VGS最大。门额定值
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	20	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
ID @ T_A = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	10	A
ID @ T_A = 70°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	8.3
IDM	Pulsed Drain Current CD	82
PD @T_A = 25°C	Power Dissipation	2.0	W
PD @T_A = 70°C	Power Dissipation	1.3	W
	Linear Derating Factor	0.016	W/°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

热阻

	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJL	Junction-to-Drain Lead	–––	42	°C/W
RqJA	Junction-to-Ambient ®�	–––	62.5	°C/W

型号/规格

IRF8910TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装