IRF8910TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
认证:

深圳市凯斯宇科技有限公司

金牌会员14年

全部产品 进入商铺

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续直流电流:10 A
Rds上漏源导通电阻:14.6毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.55 V
Qg-萘甲酸:7.4 nC
最小工作温度:-55°C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:2 N沟道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:24 S
下降时间:4.1 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:10 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:9.7 ns
典型起始延迟时间:6.2 ns
零件号别名:IRF8910TRPBF SP001555820
单位重量:160毫克
应用领域
•用于台式机,服务器,图形卡,游戏机和机顶盒中的POL转换器的双SO-8 MOSFET
•无铅
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS(on)
•超低门阻抗
•完全表征的雪崩电压和电流
•20V VGS最大。 门额定值
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

20

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

10

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

8.3

IDM

Pulsed Drain Current CD

82

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

2.0

W

PD @TA = 70°C

Power Dissipation

1.3

 

Linear Derating Factor

0.016

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 150

°C

热阻

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJL

Junction-to-Drain Lead

–––

42

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient ®�

–––

62.5

型号/规格

IRF8910TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装