IRL530NSTRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：D2PAK-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：17 A
Rds上漏源导通电阻：150毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：22.7 nC
Pd-功率耗散：3.8 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRL530NSTRLPBF SP001568266
单位重量：4 g
特征

先进工艺技术
表面安装（IRL530NS）
低剖面通孔（RL530NL）
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值

无铅

说明
来自国际整流器的第五代HEXFET利用先进的加工技术，

实现每硅面积的极低导通电阻。这一优势，加上快速

开关速度和坚固的器件设计，HEXFET功率mosfet是

众所周知的，为设计师提供了一个非常有效和可靠

的设备在各种应用中使用D2pak是一个表面贴装的

电源包，能够使模具尺寸达到HEX-4，它提供了最高

的功率能力和的可能在任何现有的表面贴装封装电阻。

由于其内部连接电阻低，因此适用于大电流应用，

在典型的surtace安装应用中，其功耗可达2.OW通孔型（RL530NL）可用于低剖面应用。
绝对最大额定值sparametmaxunitsid&Tc=25C连续漏极电流，

Vs&10V6Ib O To=100C连续漏极电流，Vos 10v12脉冲

漏极电流①PD QTA=25℃功耗3.8PD&Tc=25℃功耗线

性降额系数w/cVeGate到电源单电压脉冲雪崩能量，

dv/dtPeak二极管恢复dv/dt6工作结和存储温度传输温度，

持续10秒300°C，1.6毫米，从外壳热阻参数市政结到环境温度印制电路板损坏，稳态40°C。