IRLMS1503TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TSOP-6
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:3.2 A
Rds漏源导通电阻:200毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:6.4 nC
Pd-功率耗散:1.7 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.1毫米
长度:3 mm
晶体管类型:1 N沟道
宽度:1.5毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRLMS1503TRPBF SP001550512
单位重量:20毫克
特征

•第五代技术
•Micro6封装样式
•超低RDS(on)
•N沟道MOSFET
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术,

使每个硅面积的导通电阻极低。 这项优势与HEXFET®功率MSFET

众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员

提供了一种极其有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
Micro6™封装及其定制的引线框架可生产HEXFET®功率MSFET,

其RDS(on)比类似尺寸的SOT-23小60%。 该封装非常适合印刷

电路板空间非常宝贵的应用。 与SOT-23相比,它独特的散热设计

和RDS(on)降低使电流处理能力提高了近300%。
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

3.2

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

2.6

IDM

Pulsed Drain Current CD

18

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

1.7

W

 

Linear Derating Factor

13

mW/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

20

V

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt 0

5.0

V/ns

TJ, TSTG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

型号/规格

IRLMS1503TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TSOP-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装