IRFR3707ZTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：56 A
Rds上漏源导通电阻：9.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.35 V
Qg-萘甲酸：9.6 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：50 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：71 S
下降时间：3.3 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：11 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：12 ns
典型起始延迟时间：8 ns
零件号别名：IRFR3707ZTRPBF SP001564908
单位重量：4 g
应用领域
用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器
电信和工业应用的同步整流高频隔离式DC-DC转换器
好处
在4.5V VGS时具有极低的RDS（on）
超低栅极阻抗
全面表征雪崩电压和电流
无铅
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain -to-Source Voltage	30	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	56„	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	39„
IDM	Pulsed Drain Current	220
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	50	W
P_D @T_C = 100°C	Maximum Power Dissipation	25	W
	Linear Derating Factor	0.33	W/°C
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C

型号/规格

IRFR3707ZTRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装