IRFP3306PBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：160 A
Rds漏源导通电阻：3.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：85 nC
Pd-功率耗散：220 W
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFP3306PBF SP001564200
单位重量：38 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
最大绝对额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
160CD |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
110 |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) |
120 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current al |
620 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
220 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
1.5 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery © |
14 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lb·in (1.1N·m) |
|
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJC |
Junction-to-Case ® |
––– |
0.67 |
°C/W |
|
RqCS |
Case-to-Sink, Flat Greased Surface |
0.24 |
––– |
|
|
RqJA |
Junction-to-Ambient ®® |
––– |
40 |
IRFP3306PBF
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
