IRF3007PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：75 V
Id-连续直流电流：80 A
Rds上漏源导通电阻：12.6毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：89 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：200 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：汽车MOSFET
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：49 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：80 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：55 ns
典型起始延迟时间：12 ns
零件号别名：IRF3007PBF SP001571144
单位重量：6 g
典型应用
•工业电机驱动
特征
•超低导通电阻
•175°C工作温度
•快速切换
•重复雪崩允许最大Tjmax
•无铅
描述
HEXFET®功率MOSFET的这种设计利用最新的

处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。

该HEXFET功率MSFET的其他功能是结温为175°C，

开关速度快，重复雪崩额定值得到了提高。

这些结合在一起使该设计成为一种极其有效和

可靠的设备，可用于多种应用。

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon limited)	80	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (See Fig.9)	56
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Package limited)	75
IDM	Pulsed Drain Current CD	320
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	200	W
	Linear Derating Factor	1.3	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy0	280	mJ
E_AS (6 sigma)	Single Pulse Avalanche Energy Tested Value0	946	mJ
IAR	Avalanche CurrentCD	See Fig.12a, 12b, 15, 16	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy®	See Fig.12a, 12b, 15, 16	mJ
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting Torque, 6-32 or M3 screw	1.1 (10)	N•m (lbf•in)

型号/规格

IRF3007PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装