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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-263-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续直流电流:195 A
Rds上漏源导通电阻:1.8毫欧
Qg-萘甲酸:150 nC
Pd-功率耗散:230 W
资质:AEC-Q101
商标名:CoolIRFet
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:4.4毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:9.25毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
零件号别名:AUIRFS8407TRL SP001520480
单位重量:4 g
特征
•先进的工艺技术
•新型超低导通电阻
•175°C工作温度
•快速切换
•重复雪崩允许最大Tjmax
•无铅,符合RoHS
•汽车合格*
描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计,
利用最新的处理技术,使每个硅面积的导通电阻极低。
此设计的其他功能是175°C的结温,快速的开关
速度和改进的重复雪崩额定值。 这些功能相结合,
使该设计成为一种非常有效且可靠的器件,可用于汽车应用以及各种其他应用。
应用领域
•电动助力转向(EPS)
•电池开关
•启动/停止微混合动力
•重物
•DC-DC应用
最大绝对额定值
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
250CD |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
180 |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) |
195 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current (£) |
1000@ |
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
230 |
W |
|
Linear Derating Factor |
1.5 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lbf· in (1.1N· m) |
AUIRFS8407TRL
IR
TO-263
无铅环保型
直插式
卷带编带包装