IRFP150MPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：42 A
Rds上漏源导通电阻：36毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：73.3 nC
Pd-功率耗散：160 W
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFP150MPBF SP001552006
单位重量：38 g
HEXFETO Power MOSFETAdvanced工艺技术

动态dv/dt额定值175C工作温度DSS=100VFast

开关完全雪崩率Drps（开）=0。036WGSCRIPTIONID=42A

如果来自国际整流器的第二代六角场效应晶体管

利用先进的加工技术来实现每硅面积的极低导通电阻。

这一优点，加上HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关

速度和加固的器件设计，为设计人员提供了一种非常高效

和可靠的器件，可广泛应用于各种应用中。TO-247封装

更适合于功率水平更高而不使用的工商业应用到220个设备。

TO-247与早期的TO-218 packageTO-247Ac相似，但优于前者，

因为它具有独立的安装孔溶质最大额定值SparameterMaxUnitsLD Tc=25“C

连续漏极电流，Ves Q 10Vide Tc=100 C连续漏极电流，

Vas e 10v脉冲漏极电流O6140Po@Tc=25C功耗160线性

降额系数wpcgate-to-source电压单脉冲雪崩能量？S420mJ

雪崩电流重复雪崩能量mJDV/dtPeak二极管恢复dv/dt 3S5.0V/n

工作结和55至+175s存储温度范围焊接温度，持续10秒300（1）。

距外壳安装扭矩6mm，6-32或M3 srew10寿命（1。1NM）

热阻参数典型值：MaxUnitsFunction-to-case0.95cCase-to-sink，

平坦，涂有润滑脂的表面0.24°C连接到环境40°C。