IRF3007STRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-263-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：75 V
Id-连续直流电流：62 A
Rds上漏源导通电阻：10.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2 V
Qg-萘甲酸：130 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：120 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：Reel
配置：单
高度：4.4毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：9.25毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：180 S
下降时间：49 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：80 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：55 ns
典型起始延迟时间：12 ns
零件号别名：IRF3007STRLPBF SP001563186
单位重量：2.200克
典型应用
•工业电机驱动
特征
•超低导通电阻
•175°C工作温度
•快速切换
•重复雪崩允许最大Tjmax
•无铅
描述
HEXFET®功率MOSFET的这种设计利用最新的处理
技术来实现每硅面积的极低导通电阻。 该HEXFET
功率MOSFET的其他功能是结温为175°C，开关速
度快，重复雪崩额定值得到了提高。 这些结合在
一起使该设计成为一种极其有效和可靠的设备，
可用于多种应用。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
62 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
44 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
320 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
120 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.8 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy0 |
290 |
mJ |
|
EAS (6 sigma) |
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value<z |
946 |
|
|
IAR |
Avalanche CurrentCD |
See Fig.12a, 12b, 15, 16 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy® |
mJ |
|
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
IRF3007STRLPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
