IRFP3415PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：43 A
Rds上漏源导通电阻：42毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：133.3 nC
Pd-功率耗散：200 W
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFP3415PBF SP001566972
单位重量：38 g
•先进的工艺技术
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
International Rectifier的第五代HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
TO-247封装是商业工业应用的首选，在商业应用中，较高的功率水平导致无法使用TO-220器件。 TO-247与之相似，但由于其隔离的安装孔而优于早期的TO-218封装。

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	43	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	30
IDM	Pulsed Drain Current CD	150
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	200	W
	Linear Derating Factor	1.3	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy0	590	mJ
IAR	Avalanche CurrentCD	22	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	20	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt a>	5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 srew	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRFP3415PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装