IRFP3415PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
认证:

深圳市凯斯宇科技有限公司

金牌会员14年

全部产品 进入商铺

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Id-连续直流电流:43 A
Rds上漏源导通电阻:42毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:133.3 nC
Pd-功率耗散:200 W
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.31毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFP3415PBF SP001566972
单位重量:38 g
•先进的工艺技术
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
International Rectifier的第五代HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术,使每个硅面积的导通电阻极低。 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
TO-247封装是商业工业应用的首选,在商业应用中,较高的功率水平导致无法使用TO-220器件。 TO-247与之相似,但由于其隔离的安装孔而优于早期的TO-218封装。

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

43

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

30

IDM

Pulsed Drain Current CD

150

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

200

W

 

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy0

590

mJ

IAR

Avalanche CurrentCD

22

A

EAR

Repetitive Avalanche EnergyCD

20

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt a>

5.0

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

 

Mounting torque, 6-32 or M3 srew

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRFP3415PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装