IRFP7430PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续直流电流:404 A
Rds漏源导通电阻:1.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:460 nC
Pd-功率耗散:366 W
商标名:StrongIRFET
封装:Tube
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
宽度:5.31毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
MOSFET工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFP7430PBF SP001554970
单位重量:38 g
应用领域
有刷电机驱动器应用
BLDC电机驱动器应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器应用
谐振模式电源
或与冗余电源开关
  DC / DC和AC / DC转换器
  DC / AC逆变器

好处
改进的Gate,雪崩和动态dV / dt
坚固性
完全表征的电容和雪崩
SOA
增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅
符合RoHS,无卤素*

最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

404CD

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

286CD

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)

195

IDM

Pulsed Drain Current G)

1524

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

366

W

Linear Derating Factor

2.4

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

°C

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10lbfin (1.1Nm)

热阻

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case ®

–––

0.41

°C/W

RqCS

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

0.24

–––

RqJA

Junction-to-Ambient @

–––

40

型号/规格

IRFP7430PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装