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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续直流电流:404 A
Rds漏源导通电阻:1.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:460 nC
Pd-功率耗散:366 W
商标名:StrongIRFET
封装:Tube
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
宽度:5.31毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
MOSFET工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFP7430PBF SP001554970
单位重量:38 g
应用领域
有刷电机驱动器应用
BLDC电机驱动器应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器应用
谐振模式电源
或与冗余电源开关
DC / DC和AC / DC转换器
DC / AC逆变器
好处
改进的Gate,雪崩和动态dV / dt
坚固性
完全表征的电容和雪崩
SOA
增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅
符合RoHS,无卤素*
最大绝对额定值
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
404CD |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
286CD |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) |
195 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
1524 |
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
366 |
W |
|
Linear Derating Factor |
2.4 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lbf• in (1.1N• m) |
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
RqJC |
Junction-to-Case ® |
––– |
0.41 |
°C/W |
RqCS |
Case-to-Sink, Flat Greased Surface |
0.24 |
––– |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient @ |
––– |
40 |
IRFP7430PBF
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
卷带编带包装