IRF7476TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：12 V
Id-连续直流电流：15 A
漏源导通电阻：8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压：1.9 V
Qg-萘甲酸：40 nC
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：31 S
下降时间：8.3 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：29 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7476TRPBF SP001554312
单位重量：540毫克
应用领域
•用于网络通信和计算应用的高频3.3V和5V输入负载点同步降压转换器。
•Netcom，计算和便携式应用程序的电源管理。
•无铅
好处
•超低门阻抗
•RDS非常低（开）
•全面表征雪崩电压和电流
最大绝对额定值
Symbol
Parameter
Max.
Units
VDS
Drain-Source Voltage
12
V
VGS
Gate-to-Source Voltage
±12
V
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
15
A
ID @ TA = 70°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
12
IDM
Pulsed Drain CurrentG)
120
PD @TA = 25°C
Maximum Power Dissipation®
2.5
W
PD @TA = 70°C
Maximum Power Dissipation®
1.6
W
Linear Derating Factor
0.02
W/°C
TJ , TSTG
Junction and Storage Temperature Range
-55 to + 150
°C
热阻
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Units
RqJL
Junction-to-Drain Lead
–––
20
°C/W
RqJA
Junction-to-Ambient ®
–––
50
雪崩特性
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Units
EAS
Single Pulse Avalanche Energy0
–––
160
mJ
IAR
Avalanche CurrentCD
–––
12
A
IRF7476TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
