IRF7476TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:12 V
Id-连续直流电流:15 A
漏源导通电阻:8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.9 V
Qg-萘甲酸:40 nC
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:31 S
下降时间:8.3 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:29 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF7476TRPBF SP001554312
单位重量:540毫克
应用领域
•用于网络通信和计算应用的高频3.3V和5V输入负载点同步降压转换器。
•Netcom,计算和便携式应用程序的电源管理。
•无铅
好处
•超低门阻抗
•RDS非常低(开)
•全面表征雪崩电压和电流

最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-Source Voltage

12

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

±12

V

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

15

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

12

IDM

Pulsed Drain CurrentG)

120

PD @TA = 25°C

Maximum Power Dissipation®

2.5

W

PD @TA = 70°C

Maximum Power Dissipation®

1.6

W

 

Linear Derating Factor

0.02

W/°C

TJ , TSTG

Junction and Storage Temperature Range

-55  to + 150

°C

热阻

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJL

Junction-to-Drain Lead

–––

20

 

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient ®

–––

50

雪崩特性

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

EAS

Single Pulse Avalanche Energy0

–––

160

mJ

IAR

Avalanche CurrentCD

–––

12

A


型号/规格

IRF7476TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装