图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续直流电流:6.2 A
Rds漏源导通电阻:70毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:53 nC
Pd-功率耗散:2.5 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:1 P通道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF7241TRPBF SP001563432
单位重量:540毫克
特征
●风口技术
●超低导通电阻
●P沟道MOSFET
●有卷带包装
●无铅
描述
来自国际整流器公司的新型沟槽HEXFET®
功率MOSFET利用先进的处理技术来实现
每硅面积的极低导通电阻。 这项优势与
HEXFET功率MSFET众所周知的坚固耐用
的器件设计相结合,为设计人员提供了一
种非常高效且可靠的器件,可用于电池和负载管理应用。
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
VDS |
Drain- Source Voltage |
-40 |
V |
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-6.2 |
A |
ID @ TA= 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-4.9 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
-25 |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation CT |
2.5 |
w |
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation CT |
1.6 |
|
|
Linear Derating Factor |
20 |
mW/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
RqJL |
Junction-to-Drain Lead |
––– |
20 |
°C/W |
RqJA |
Junction-to-Ambient CT |
––– |
50 |
IRF7241TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装