IRFR024NTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：16 A
Rds上漏源导通电阻：75毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：13.3 nC
Pd-功率耗散：38 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFR024NTRPBF SP001552090
单位重量：550毫克
特征

e超低导通电阻
表面安装（IRFR024N）
直铅（IRFUO24N）
先进工艺技术
快速切换
完全雪崩额定值
无铅

描述

来自nernationa整流器的第二代HEXF=Ts利用先进的处理技术，

以实现尽可能低的压力扩散面积。这一优点，加上HEXFET功率

mosfet众所周知的快速开关速度和加固的器件设计，为设计者

提供了一种在各种应用中使用的极为高效的器件D-PAK采用

气相、红外或波峰焊接技术设计或表面安装。直引线版本

（RFU系列）适用于通孔安装应用。功率耗散水平高达1。

在典型的表面贴装应用中可能有5瓦。

绝对最大额定值sparametermaxunitse Tc=25C连续漏电流。

Ves 2 10V17I，e To=100c连续漏极电流，Ves e 10V脉冲

漏极电流①⑤Po&Tc=25C功耗线性降额系数

PcGSgate To source Voltage±20eas单脉冲雪崩能量

]6RAvalanche电流④AERepetitive雪崩能量YO4.5MJdv/Ctpake

二极管恢复dv/dt③5.0输出结和55 To+175Sig存储测试温度。

持续10秒300（距caseThermal Re 1.6mmsistanceParameterTyp.maxunitsj

函数-外壳3.3外壳到环境（当安装在1“方形PCB上时，

PCB安装在连接到环境110°C。