IRFP3206PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：200 A
Rds上漏源导通电阻：2.4毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：120 nC
Pd-功率耗散：280 W
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFP3206PBF SP001578056
单位重量：38 g
应用领域
SMPS中的高效同步整流
不间断电源供应
高速电源开关
硬开关和高频电路

好处
  改进的Gate，雪崩和动态dV / dt

  坚固性
  完全表征的电容和雪崩
  SOA
  增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
   无铅

描述
是高电压，高电压
速度功率MOSFET和IGBT驱动器。 所有权
HVIC和锁存免疫CMOS技术可实现
坚固的整体结构。 逻辑输入为
与标准CMOS或LSTTL输出兼容
低至3.3V。 保护电路检测驱动功率晶体管中的过电流并终止
栅极驱动电压。 提供漏极开路故障信号以指示已经发生过电流关断。 输出驱动器具有高脉冲电流
缓冲级设计用于最小化交叉传导。
浮动通道可用于在高端或低端驱动N通道功率MOSFET或IGBT
侧面配置，最高可工作600伏。

特征
•浮动通道设计用于自举操作
完全可工作至+ 600V
耐负瞬态电压dV / dt免疫
•特定于门的驱动范围：
电机驱动器：12至20V（IR2127 / IR2128）
汽车：9至20V（IR21271）
•欠压锁定
•兼容3.3V，5V和15V输入逻辑
•FAULT引线指示已发生关机
•与输入同相输出（IR2127 / IR21271）
•输出与输入异相（IR2128）
•无铅化