IRF3709ZSTRRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-263-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：87 A
Rds漏源导通电阻：7.8毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：17 nC
Pd-功率耗散：79 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：4.4毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：9.25毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF3709ZSTRRPBF SP001563134
单位重量：4 g

应用领域
•用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器
•无铅
好处
•VDS为4.5V时RDS（on）低
•低门收费
•全面表征雪崩电压和电流
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	30	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
ID @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	87®	A
ID @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	62®
IDM	Pulsed Drain Current G)	350
PD @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	79	W
PD @T_C = 100°C	Maximum Power Dissipation	40	W
	Linear Derating Factor	0.53	W/°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case)	°C
	Mounting Torque, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

热阻

	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJC	Junction-to-Case (J)	–––	1.89	°C/W
RqJA	Junction-to-Ambient (PCB Mount) �	–––	40	°C/W

雪崩特性

	Parameter	Typ.	Max.	Units
EAS	Single Pulse Avalanche Energy(￡)	–––	60	mJ
IAR	Avalanche Current G)	–––	17	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy G)	–––	7.9	mJ

型号/规格

IRF3709ZSTRRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装