IRFB3306GPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续直流电流:160 A
Rds漏源导通电阻:3.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:85 nC
Pd-功率耗散:230 W
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFB3306GPBF SP001555952
单位重量:6 g

应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的门,雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
•无卤素
最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

160G)

 

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

110G)

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)

120

IDM

Pulsed Drain Current Q)

620

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

230

W

 

Linear Derating Factor

1.5

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

dv/dt

Peak Diode Recovery ®

14

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

 

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10lbfin (1.1Nm)

热阻

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case ®

–––

0.65

 

°C/W

RqCS

Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220

0.50

–––

RqJA

Junction-to-Ambient, TO-220

–––

62

型号/规格

IRFB3306GPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装