图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:6.9 A
Rds上漏源导通电阻:26毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:61 nC
Pd-功率耗散:2.5 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF7473TRPBF SP001555418
单位重量:380毫克
应用领域
•电信和Data-Com 24和48V输入DC-DC转换器
•电机控制
•电源供应器
•无铅
好处
•超低导通电阻
•高速开关
•栅极电荷特性改善,栅极驱动电流低
•提高了雪崩强度和动态dv / dt
•完全表征的雪崩电压和电流
典型的SMPS拓扑
•全桥和半桥48V输入电路
•正向24V输入电路
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
6.9 |
A |
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
5.5 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
55 |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
2.5 |
W |
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt ® |
5.8 |
V/ns |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
RqJL |
Junction-to-Drain Lead |
––– |
20 |
°C/W |
RqJA |
Junction-to-Ambient © |
––– |
50 |
IRF7473TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装