IRF7809AVTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：13.3 A
Rds漏源导通电阻：9毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-萘甲酸：41 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7809AVTRPBF SP001555654
单位重量：540毫克
特征
•N通道专用MOSFET
•理想用于CPU核心DC-DC转换器
•低传导损耗
•开关损耗低
•最小化用于大电流应用的并联MOSFET
•100％经过Rg测试
•无铅
描述
这款新器件采用了先进的HEXFET功率MOSFET技术，可实现导通电阻和栅极电荷的前所未有的平衡。 降低的导通和开关损耗使其非常适合为最新一代微处理器供电的高效DC-DC转换器。
IRF7809AV已针对同步降压转换器中至关重要的所有参数进行了优化，包括RDS（on），栅极电荷和Cdv / dt引起的导通抗扰性。
IRF7809AV特别提供低RDS（on）和高RDS
Cdv / dt抗扰度适用于同步FET应用。
该封装设计用于气相，红外，对流或波峰焊接技术。 在典型的PCB安装应用中，功耗可能大于2W。
最大绝对额定值
|
Parameter |
Symbol |
IRF7809A V |
Units |
|
|
Drain-Source Voltage |
VDS |
30 |
V |
|
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
±12 |
||
|
Continuous Drain or Source Current (VGS 3 4.5V) |
TA = 25°C |
ID |
13.3 |
A |
|
TL = 90°C |
14.6 |
|||
|
Pulsed Drain CurrentG) |
IDM |
100 |
||
|
Power Dissipation |
TA = 25°C |
PD |
2.5 |
W |
|
TL = 90°C |
3.0 |
|||
|
Junction & Storage Temperature Range |
TJ, TSTG |
–55 to 150 |
°C |
|
|
Continuous Source Current (Body Diode) |
IS |
2.5 |
A |
|
|
Pulsed Source CurrentG) |
ISM |
50 |
||
IRF7809AVTRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
