IRFHM831TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：14 A
Rds上漏源导通电阻：10.7毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.8 V
Qg-萘甲酸：7.3 nC
MOSFET最小工作温度：-55 C
MOSFET最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.05毫米
长度：3.3毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.3毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：82 S
下降时间：4.7 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：12 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：6.2 ns
典型起始延迟时间：6.9 ns
零件号别名：SP001575868
单位重量：66毫克

VDSS	30	V
RDS(on) max (@ V_GS = 10V)	7.8	mW
Qg (typical)	7.3	nC
Rg (typical)	0.5	W
I_D (@TC (Bottom) = 25°C)	40†	A

特征

低电量（典型值为7.3nC）

对PCB的低热阻（<4.7°C / W）
已通过100％汞测试
薄型（<1.0毫米）
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，工业资格

优点
降低开关损耗
实现更好的散热
可靠性更高
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	30	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
I_D @ T_A = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	14	A
I_D @ T_A = 70°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	11
ID @ TC(Bottom) = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	40†
ID @ TC(Bottom) = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	28
IDM	Pulsed Drain Current	96
P_D @T_A = 25°C	Power Dissipation …	2.5	W
PD @TC(Bottom) = 25°C	Power Dissipation …	27	W
	Linear Derating Factor …	0.02	W/°C
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

型号/规格

IRFHM831TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQNF-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装