IRFU220NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-251-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：5 A
Rds上漏源导通电阻：600毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：15 nC
MOSFET最小工作温度：-55 C
MOSFET最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：43 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：6.22毫米
长度：6.73 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：2.38毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：2.6 S
下降时间：12 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：11 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：20 ns
典型起始延迟时间：6.4 ns
零件号别名：IRFU220NPBF SP001567710
单位重量：4 g
应用领域
•高频DC-DC转换器
•无铅
好处
•低栅极至漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计，（请参见应用笔记AN1001）
•全面表征雪崩电压和电流
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
5.0 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
3.5 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
20 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
43 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.71 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt CT |
7.5 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy0 |
––– |
46 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche CurrentCD |
––– |
2.9 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCD |
––– |
4.3 |
mJ |
IRFU220NPBF
IR
TO-251
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
