AUIRF1404 MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：202 A
Rds上漏源导通电阻：4毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：131 nC
最小工作温度：-55 C
Pd-功率耗散：333 W
通道模式：增强
资质：AEC-Q101
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
下降时间：33 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：190 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：46 ns
典型中断时间：17 ns
零件号别名：AUIRF1404 SP001522606
单位重量：6 g
特征
先进的平面技术
导通电阻低
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩等级
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅，符合RoHS
汽车合格*
描述
HEXFET®功率MOSFET的这种条带平面设计

是专门为汽车应用而设计的，它利用最新的

处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。

这种优势与HEXFET®功率MOSFET众所周知

的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，

为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件，

可用于汽车和其他各种应用。

最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	202†	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	143
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Package Limited)	160
IDM	Pulsed Drain Current	808
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	333	W
	Linear Derating Factor	2.2	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚	620	mJ
IAR	Avalanche Current	See Fig.15,16, 12a, 12b	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy	See Fig.15,16, 12a, 12b	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dtƒ	1.5	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

AUIRF1404

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装