IRF6644TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:DirectFET-MN
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:10.3 A
Rds上漏源导通电阻:10.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4.8 V
Qg-血浆甲醛:35 nC
最小工作温度:-40 C
最大工作温度:150 C
Pd-功率耗散:89 W
通道模式:增强
商标名:DirectFET
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:0.7毫米
长度:6.35毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.05毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:15 S
下降时间:16 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:26 ns
工厂包装数量:4800
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:34 ns
典型中断时间:17 ns
零件号别名:IRF6644TRPBF SP001563476
单位重量:87.050毫克
应用领域

符合RoHS
无铅(符合260°C回流焊标准)
应用指定MOSFET
理想的高性能隔离式转换器主开关插座
针对同步整流进行了优化
低传导损耗
薄型(<0.7mm)
双面散热兼容Cool
与现有的表面贴装技术兼容
描述
IRF6644PbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合,从而在占地仅为SO-8且外形仅为0.7 mm的封装中实现了的导通状态电阻。当遵循有关制造方法和工艺的应用笔记AN-1035时,DirectFET®封装可与电力应用,PCB组装设备和气相,红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何兼容。 DirectFET®封装允许双面冷却,以最大化电力系统中的热传递,从而将以前的最佳热阻提高80%。
IRF6644PbF针对隔离式DC-DC应用中的初级侧桥拓扑,广泛的通用电信输入(36V-75V)以及稳压DC-DC拓扑中的次级侧同步整流进行了优化。器件总损耗的减少与高水平的热性能相结合,可实现高效率和低温,这是改善系统可靠性的关键,并使该器件成为高性能隔离式DC-DC转换器的理想选择。


型号/规格

IRF6644TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

DIRECTFET

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装