IRF3703PBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：210 A
Rds上漏源导通电阻：2.8毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：209 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：230 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：Smps MOSFET
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
下降时间：24 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：123 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：53 ns
典型中断时间：18 ns
零件号别名：IRF3703PBF SP001574662
单位重量：6 g
应用领域
•同步整流
•主动或
•无铅
好处
•超低导通电阻
•低栅极阻抗，以减少开关损耗
•完全雪崩等级
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
210 @ |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
100 @ |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
1000 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
230 |
W |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
3.8 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
1.5 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
土 20 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt ® |
5.0 |
V/ns |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJC |
Junction-to-Case |
|
0.65 |
°C/W |
|
RqCS |
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface |
0.5 |
|
|
|
RqJA |
Junction-to-Ambient |
|
62 |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy<D |
|
1700 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche CurrentCD |
|
76 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCD |
|
23 |
mJ |
IRF3703PBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
