IRFR3709ZTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:86 A
Rds漏源导通电阻:6.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.25 V
Qg-血浆甲醛:17 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:79 W
通道模式:增强
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon Technologies
正向跨导-对抗:51 S
下降时间:3.9 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:12 ns
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:15 ns
典型起始延迟时间:12 ns
零件号别名:IRFR3709ZTRPBF SP001573340
单位重量:4 g
应用领域
•用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器
•具有同步整流功能的高频隔离式DC-DC转换器,用于电信和工业用途
•无铅
好处
•4.5V VGS时的RDS(开启)非常低
•超低门阻抗
•全面表征雪崩电压和电流

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

30

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

86©

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

61©

IDM

Pulsed Drain Current G)

340

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

79

W

PD @TC = 100°C

Maximum Power Dissipation

39

 

Linear Derating Factor

0.53

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case)

型号/规格

IRFR3709ZTRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装