IRF7530TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:Micro-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续直流电流:5.4 A
Rds上漏源导通电阻:45毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
Qg-血浆甲醛:18 nC
最小工作温度:-55°C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.3 W
通道模式:增强
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.11毫米
长度:3 mm
晶体管类型:2 N沟道
宽度:3毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-对抗:13 S
下降时间:16 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:11 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:36 ns
典型起始延迟时间:8.5 ns
零件号别名:IRF7530TRPBF SP001572074

•风口技术
•超低导通电阻
•双N沟道MOSFET
•非常小的SOIC封装
•薄型(<1.1mm)
•提供卷带包装
•无铅
描述
国际整流器公司(International Rectifier)推出的新型沟槽HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术,使每个硅面积的导通电阻极低。 这项优势与HEXFET功率MSFET众所周知的坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种非常有效且可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
新的Micro8™封装的体积仅为标准SO-8的一半。 这使得Micro8成为印刷电路板空间非常宝贵的应用的理想设备。 Micro8的薄型(<1.1mm)将使其易于安装在超薄应用环境中,例如便携式电子设备和PCMCIA卡。

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain- Source Voltage

20

V

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V

5.4

 

A

ID @ TA= 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V

4.3

IDM

Pulsed Drain Current CD

40

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

1.3

w

PD @TA = 70°C

Power Dissipation

0.80

 

Linear Derating Factor

10

mW/°C

EAS

Single Pulse Avalanche Energy©

33

mJ

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 12

V

TJ, TSTG

Junction and Storage Temperature Range

-55  to + 150

°C

型号/规格

IRF7530TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

MSOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装