IRLTS2242TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TSOP-6
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：6.9 A
Rds上漏源导通电阻：55毫欧
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：3 mm
晶体管类型：1 P通道
宽度：1.5毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLTS2242TRPBF SP001553280
单位重量：20毫克
应用领域
电池供电的直流电动机逆变器MOSFET
系统/负载开关
特征
行业标准TSOP-6封装
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，消费者资格认证
好处
多厂商兼容性
环保
可靠性更高
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
- 20 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 12 |
|
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
-6.9 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
-5.5 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
-55 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
2.0 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation |
1.3 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient ƒ |
––– |
62.5 |
°C/W |
|
|
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Units |
Conditions |
|
IS |
Continuous Source Current (Body Diode) |
––– |
––– |
-2.0 |
A |
MOSFET symbol D showing the G integral reverse S p-n junction diode. |
|
ISM |
Pulsed Source Current (Body Diode) |
––– |
––– |
-55 |
||
|
VSD |
Diode Forward Voltage |
––– |
––– |
-1.2 |
V |
TJ = 25°C, IS= -5.5A, VGS=0V ‚ |
|
trr |
Reverse Recovery Time |
––– |
41 |
62 |
ns |
TJ = 25°C, IF = -5.5A, VDD = -16V di/dt = 100A/μs ‚ |
|
Qrr |
Reverse Recovery Charge |
––– |
16 |
24 |
nC |
IRLTS2242TRPBF
IR
TSOP-6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
