IRF7304TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：4.3 A
Rds上漏源导通电阻：140毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-血浆甲醛：14.7 nC
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7304TRPBF SP001565312
单位重量：540毫克
特征
•第五代技术
•超低导通电阻
•双P通道Mosfet
•表面贴装
•提供卷带包装
•动态dv / dt评级
•快速切换
•无铅
描述
来自国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，
以使每个硅面积的导通电阻尽可能低。 这种优势与HEXFET
功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设
计相结合，为设计人员提供了一种非常有效的器件，可广泛用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改，以增强热特性和多芯片能力，
使其成为各种电源应用的理想选择。 通过这些改进，可以在一块
板子空间大大减少的应用中使用多种设备。 该封装设计用于气相，
红外或波峰焊技术。 在典型的PCB安装应用中，功耗可能大于0.8W。
最大绝对额定值
Parameter
Max.
Units
ID @ TA = 25°C
10 Sec. Pulsed Drain Current, VGS @ -4.5V
-4.7
A
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V
-4.3
ID @ TA = 70°C
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V
-3.4
IDM
Pulsed Drain Current CD
-17
PD @TA = 25°C
Power Dissipation
2.0
W
Linear Derating Factor
0.016
W/°C
VGS
Gate-to-Source Voltage
士12
V
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt 0
-5.0
V/ns
TJ, TSTG
Junction and Storage Temperature Range
-55 to + 150
°C
IRF7304TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
