IRL1404ZPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：200 A
漏源导通电阻：5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-萘甲酸：75 nC
Pd-功率耗散：230 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRL1404ZPBF SP001576516
单位重量：6 g
特征
•逻辑电平
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•175°C工作温度
•快速切换
•重复雪崩允许最大Tjmax
•无铅
描述
这款HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术，
使每个硅面积的导通电阻极低。 此设计的其他
功能是175°C的结温，快速的开关速度和改进的
重复雪崩额定值。 这些功能相结合，使该设计
成为一种非常有效和可靠的设备，可用于多种应用。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
200(9. |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
140(9. |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) |
120(9. |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current 叩 |
790 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
230 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
1.5 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 16 |
V |
|
EAS (Thermally limited) |
Single Pulse Avalanche Energy0 |
220 |
mJ |
|
EAS (Tested ) |
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value (@ |
490 |
|
|
IAR |
Avalanche Current 叩 |
See Fig.12a, 12b, 15, 16 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy (3) |
mJ |
|
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
|
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|
IRL1404ZPBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
