IRFS4020TRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：18 A
Rds漏源导通电阻：85毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压：4.9 V
Qg-血浆甲醛：29 nC
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：100 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-预期：24 S
下降时间：6.3 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：12 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFS4020TRLPBF SP001573468
单位重量：4 g
特征
针对D类音频放大器应用优化的关键参数
RDSON低，可提高效率
QG和QSW低，可提供更好的THD和更高的效率
低QRR可提供更好的THD和更低的EMI
175°C的工作结温，坚固耐用
在半桥配置放大器中，可为8负载的每个通道提供高达300W的功率

描述
该数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。

该MSFET利用最新的处理技术来实现每硅面积的

低导通电阻。此外，优化了栅极电荷，体二极管

反向恢复和内部栅极电阻，以改善D类音频放大器

的关键性能指标，例如效率，THD和EMI。该MOSFET

的其他功能是175°C的工作结温和重复雪崩能力。

这些功能相结合，使该MOSFET成为高效，
适用于ClassD音频放大器应用的强大而可靠的设备。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	200	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	18	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	13
IDM	Pulsed Drain Current G)	52
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation ©	100	W
P_D @T_C = 100°C	Power Dissipation ©	52	W
	Linear Derating Factor	0.70	W/°C
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C

型号/规格

IRFS4020TRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装