IRFS4020TRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续直流电流:18 A
Rds漏源导通电阻:85毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压:4.9 V
Qg-血浆甲醛:29 nC
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:100 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon Technologies
正向跨导-预期:24 S
下降时间:6.3 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:12 ns
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFS4020TRLPBF SP001573468
单位重量:4 g
特征
针对D类音频放大器应用优化的关键参数
RDSON低,可提高效率
QG和QSW低,可提供更好的THD和更高的效率
低QRR可提供更好的THD和更低的EMI
175°C的工作结温,坚固耐用
在半桥配置放大器中,可为8负载的每个通道提供高达300W的功率

描述
该数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。 

该MSFET利用最新的处理技术来实现每硅面积的

低导通电阻。 此外,优化了栅极电荷,体二极管

反向恢复和内部栅极电阻,以改善D类音频放大器

的关键性能指标,例如效率,THD和EMI。 该MOSFET

的其他功能是175°C的工作结温和重复雪崩能力。

 这些功能相结合,使该MOSFET成为高效,
适用于ClassD音频放大器应用的强大而可靠的设备。
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

200

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

±20

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

18

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

13

IDM

Pulsed Drain Current G)

52

PD @TC = 25°C

Power Dissipation ©

100

W

PD @TC = 100°C

Power Dissipation ©

52

 

Linear Derating Factor

0.70

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

型号/规格

IRFS4020TRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装