IRFP2907PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：75 V
Id-连续直流电流：209 A
Rds上漏源导通电阻：4.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：410 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：330 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：汽车MOSFET
宽度：5.31毫米
商标：Infineon Technologies
下降时间：130 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：190 ns
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：130 ns
典型终止时间：23 ns
零件号别名：IRFP2907PBF SP001571058
单位重量：38 g
典型应用
需要软启动的电信应用
好处
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅
描述
HEXFET®功率MOSFET的这种条形平面设计利用最新

的处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。该HEXFET

功率MSFET的其他功能是结温为175°C，开关速度快，

重复雪崩额定值得到了提高。这些优点相结合，

使该设计成为一种非常有效和可靠的设备，可用于多种应用。

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	209®	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	148®
IDM	Pulsed Drain Current CD	840
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	470	W
	Linear Derating Factor	3.1	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy0	1970	mJ
IAR	Avalanche Current	See Fig.12a, 12b, 15, 16	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy<v	See Fig.12a, 12b, 15, 16	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt CT	5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting Torque, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRFP2907PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装