IRFP2907PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:75 V
Id-连续直流电流:209 A
Rds上漏源导通电阻:4.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:410 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:330 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
晶体管类型:1 N沟道
类型:汽车MOSFET
宽度:5.31毫米
商标:Infineon Technologies
下降时间:130 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:190 ns
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:130 ns
典型终止时间:23 ns
零件号别名:IRFP2907PBF SP001571058
单位重量:38 g
典型应用
需要软启动的电信应用
好处
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅
描述
HEXFET®功率MOSFET的这种条形平面设计利用最新

的处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。 该HEXFET

功率MSFET的其他功能是结温为175°C,开关速度快,

重复雪崩额定值得到了提高。 这些优点相结合,

使该设计成为一种非常有效和可靠的设备,可用于多种应用。

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

209®

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

148®

IDM

Pulsed Drain Current CD

840

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

470

W

 

Linear Derating Factor

3.1

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy0

1970

mJ

IAR

Avalanche Current

See Fig.12a, 12b, 15, 16

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy<v

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt CT

5.0

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

 

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRFP2907PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装