IRF7495TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：7.3 A
Rds漏源导通电阻：22毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：34 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7495TRPBF SP001565412
单位重量：540毫克
应用领域
•高频DC-DC转换器
•无铅
好处
•低栅极至漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计，（请参见应用笔记AN1001）
•完全表征的雪崩电压和电流

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	100	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	7.3	A
ID @ TA = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	4.6
IDM	Pulsed Drain Current CD	58
PD @TA = 25°C	Maximum Power Dissipation	2.5	W
	Linear Derating Factor	0.02	W/°C
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt @	7.3	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

热阻

	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJL	Junction-to-Drain Lead	–––	20	°C/W
RqJA	Junction-to-Ambient (PCB Mount) CT	–––	50	°C/W

雪崩特性

	Parameter	Typ.	Max.	Units
EAS	Single Pulse Avalanche EnergyG)	–––	180	mJ
IAR	Avalanche Current CD	–––	4.4	A

型号/规格

IRF7495TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装