图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:7.6 A,11 A
Rds漏源导通电阻:14.5 mOhms,10 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.25 V
Qg-血浆甲醛:7.5 nC,14 nC
最小工作温度:-55°C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.4 W,2 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:2 N沟道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-应力:17 S,23 S
下降时间:3.2 ns,4.6 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:7.3 ns,10 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:10 ns,15 ns
典型初始化延迟时间:6.9 ns,7.8 ns
零件号别名:IRF7904TRPBF SP001575344
单位重量:506.600毫克
应用领域
•用于POL的双SO-8 MOSFET
笔记本电脑,服务器中的转换器
图形卡,游戏机和机顶盒
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS(on)
•低门收费
•全面表征雪崩电压和电流
•20V VGS最大。 门额定值
•改进的体二极管反向恢复
•100%经过RG测试
•无铅
最大绝对额定值
|
Parameter |
Q1 Max. |
Q2 Max. |
Units |
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
30 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
||
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
7.6 |
11 |
A |
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
6.1 |
8.9 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current Q) |
61 |
89 |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
1.4 |
2.0 |
W |
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation |
0.9 |
1.3 |
|
|
Linear Derating Factor |
0.011 |
0.016 |
W/°C |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
Parameter |
Q1 Max. |
Q2 Max. |
Units |
RqJL |
Junction-to-Drain Lead CT |
20 |
20 |
°C/W |
RqJA |
Junction-to-Ambient ©CT |
90 |
62.5 |
IRF7904TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装