IRF7904TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:7.6 A,11 A
Rds漏源导通电阻:14.5 mOhms,10 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.25 V
Qg-血浆甲醛:7.5 nC,14 nC
最小工作温度:-55°C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.4 W,2 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:2 N沟道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-应力:17 S,23 S
下降时间:3.2 ns,4.6 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:7.3 ns,10 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:10 ns,15 ns
典型初始化延迟时间:6.9 ns,7.8 ns
零件号别名:IRF7904TRPBF SP001575344
单位重量:506.600毫克
应用领域
•用于POL的双SO-8 MOSFET
笔记本电脑,服务器中的转换器
图形卡,游戏机和机顶盒
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS(on)
•低门收费
•全面表征雪崩电压和电流
•20V VGS最大。 门额定值
•改进的体二极管反向恢复
•100%经过RG测试
•无铅

最大绝对额定值

Parameter

Q1 Max.

Q2 Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

30

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

7.6

11

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

6.1

8.9

IDM

Pulsed Drain Current Q)

61

89

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

1.4

2.0

W

PD @TA = 70°C

Power Dissipation

0.9

1.3

 

Linear Derating Factor

0.011

0.016

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 150

°C

热阻

Parameter

Q1 Max.

Q2 Max.

Units

RqJL

Junction-to-Drain Lead CT

20

20

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient ©CT

90

62.5

型号/规格

IRF7904TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装