IRG4BC30KDPBF IGBT晶体管▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：IGBT晶体管
RoHS：详细信息
技术：Si
封装/箱体：TO-220-3
安装风格：通孔
配置：单
集电极—发射极最大电压VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：2.21 V
正极/发射极最大电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：28 A
Pd-功率耗散：100 W
IGBT晶体管最小工作温度：-55 C
IGBT晶体管最大工作温度：+ 150 C
封装：Tube
集电极最大连续电流Ic：28 A
高度：8.77毫米
长度：10.54毫米
宽度：4.69毫米
商标：Infineon Technologies
正极—射极漏泄电流：100 nA
产品类型：IGBT晶体管
工厂包装数量：1000
子类别：IGBT
零件号别名：SP001532644
单位重量：6 g
特征
•高短路额定值针对电机控制进行了优化，
tsc = 10μs，@ 360V VCE（开始），TJ = 125°C，VGE = 15V
•兼具低传导损耗和高开关速度
•比前几代产品更紧密的参数分布和更高的效率
•IGBT与HEXFREDTM超快封装在一起，
超软恢复反并联二极管
•无铅
好处
•最新一代的4 IGBT可提供最高功率密度的电机控制
•HEXFREDTM二极管针对IGBT的性能进行了优化。 恢复特性最小化可降低噪声，EMI和开关损耗
•该部分替代了IRGBC30KD2和IRGBC30MD2产品
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VCES |
Collector-to-Emitter Voltage |
600 |
V |
|
IC @ TC = 25°C |
Continuous Collector Current |
28 |
A |
|
IC @ TC = 100°C |
Continuous Collector Current |
16 |
|
|
ICM |
Pulsed Collector Current CD |
56 |
|
|
ILM |
Clamped Inductive Load Current 0 |
56 |
|
|
IF @ TC = 100°C |
Diode Continuous Forward Current |
12 |
|
|
IFM |
Diode Maximum Forward Current |
58 |
|
|
tsc |
Short Circuit Withstand Time |
10 |
μs |
|
VGE |
Gate-to-Emitter Voltage |
士 20 |
V |
|
PD @ TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
100 |
W |
|
PD @ TC = 100°C |
Maximum Power Dissipation |
42 |
|
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to +150 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 sec. |
300 (0.063 in. (1.6mm) from case) |
|
|
|
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw. |
10 lbf•in (1.1 N•m) |
|
IRG4BC30KDPBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
