IRF7105TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道,P沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:25 V
Id-连续直流电流:3.5 A
Rds上漏源导通电阻:160毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:9.4 nC
Pd-功率耗散:2 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:1 N通道,1 P通道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF7105TRPBF SP001577206
单位重量:540毫克
特征

•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•双N和P频道Mosfet
•表面贴装
•提供卷带包装
•动态dv / dt评级
•快速切换
•无铅
描述
来自国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,

以使每个硅面积的导通电阻尽可能低。 这种优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件

设计相结合,为设计人员提供了一种非常有效的器件,可广泛用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改,以增强热特性

和多芯片能力,使其成为各种电源应用的理想选择。 

通过这些改进,可以在一块板子空间大大减少的应用

中使用多种设备。 该封装设计用于气相,红外或波峰焊技术。

 在典型的PCB安装应用中,功耗可能大于0.8W。
最大绝对额定值

 

Parameter

Max.

Units

N-Channel

P-Channel

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

3.5

-2.3

 

8 A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

2.

-1.

IDM

Pulsed Drain Current CD

14

-10

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

2.0

W

 

Linear Derating Factor

0.016

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

20

V

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt 0

3.0

-3.0

V/nS

TJ, TSTG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C


型号/规格

IRF7105TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装