IRFH5250TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：25 V
Id-连续直流电流：100 A
Rds上漏源导通电阻：1.15 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：52 nC
Pd-功率耗散：3.6 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.83毫米
长度：6 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFH5250TRPBF SP001566020

应用领域
用于12V（典型值）总线浪涌电流的OR-ing MOSFET
电池供电的直流电动机逆变器MOSFET
特征
低RDSon（<1.15mΩ）
对PCB的低热阻（<0.8°C / W）
已通过100％汞测试
薄型（<0.9毫米）
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，工业资格
好处
降低传导损耗
实现更好的散热
可靠性更高
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	25	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
I_D @ T_A = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	45	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	31
ID @ Tmb = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	100 (fi
ID @ Tmb = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	100(fi
IDM	Pulsed Drain Current CD	400
PD @TA = 25°C	Power Dissipation (3)	3.6	W
PD @Tmb = 25°C	Power Dissipation (3)	160	W
	Linear Derating Factor (3)	0.029	W/°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

型号/规格

IRFH5250TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装