IRF530NSPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：17 A
Rds上漏源导通电阻：90毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：24.7 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：3.8 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：25 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：22 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：35 ns
典型起始延迟时间：9.2 ns
零件号别名：SP001551118
单位重量：4 g
特征
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司（International Rectifier）的高级HEXFET®功率
MOSFET利用先进的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。
这项优势与HEXFET功率MSFET众所周知的快速开关速度和
坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其
有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
D2Pak是一种表面安装电源封装，能够容纳高达HEX-4的裸片尺寸。
它在任何现有的表面贴装封装中提供最高的功率能力和的导通电阻。
D2Pak的内部连接电阻低，因此适合大电流应用，
在典型的表面安装应用中，其耗散功率高达2.0W。
通孔版本（IRF530NL）可用于薄型应用。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V 0 |
17 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V 0 |
12 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current G)0 |
60 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
3.8 |
W |
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
70 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.47 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
土 20 |
V |
|
IAR |
Avalanche CurrentG) |
9.0 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyG) |
7.0 |
mJ |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt cr0 |
7.4 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
IRF530NSPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
