IRF6662TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-MZ
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：8.3 A
Rds上漏源导通电阻：17.5 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：22 nC
最小工作温度：-40 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：89 W
通道模式：增强
商标名：DirectFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.7毫米
长度：6.35毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.05毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：5.9 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：7.5 ns
工厂包装数量：4800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：24 ns
典型起始延迟时间：11 ns
零件号别名：IRF6662TRPBF SP001576850

特征

符合RoHs
无铅（符合260°C回流焊标准）
专用MOSFET
高性能隔离转换器主开关插座的理想选择
针对同步整流进行了优化
低传导损耗
高Cdv / dt免疫力
薄型（<0.7mm）
双面散热兼容
与现有的表面贴装技术兼容
描述
IRF6662PbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFETTM封装相结合，在具有SO-8占位面积和只有0.7 mm外形的封装中实现了的导通状态电阻。 DirectFET封装与电源应用，PCB组装设备以及气相，红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何形状兼容。关于制造方法和工艺，遵循应用笔记AN-1035。 DirectFET封装允许双面冷却，以最大限度地提高电源系统中的热传递，将以前的最佳热阻提高80％。
IRF6662PbF针对隔离式DC-DC应用中的初级侧桥拓扑，广泛的通用电信输入（36V-75V）以及稳压DC-DC拓扑中的次级侧同步整流进行了优化。器件总损耗的减少与高水平的热性能相结合，可实现高效率和低温，这是提高系统可靠性的关键，并使该器件成为高性能隔离式DC-DC转换器的理想选择。
最大绝对额定值