IRLL014NTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-223-4
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：2 A
Rds上漏源导通电阻：280毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-萘甲酸：9.5 nC
Pd-功率耗散：2.1 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.6毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.5毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：2500
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLL014NTRPBF SP001578654
单位重量：112毫克
特征
•表面贴装
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，
以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET
功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器
件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠
的器件，可广泛用于各种应用中。
SOT-223封装专为使用气相，红外或波峰焊技术进行
表面安装而设计。 与其他SOT或SOIC封装一样，其独
特的封装设计可轻松实现自动拾取和放置，但由于散
热片的凸片尺寸较大，因此具有改进的热性能的额外优势。
在典型的表面贴装应用中，功耗可能为1.0W。
最大绝对额定值
Parameter
Max.
Units
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V**
2.8
A
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*
2.0
ID @ TA = 70°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*
1.6
IDM
Pulsed Drain Current CD
16
PD @TA = 25°C
Power Dissipation (PCB Mount)**
2.1
W
PD @TA = 25°C
Power Dissipation (PCB Mount)*
1.0
W
Linear Derating Factor (PCB Mount)*
8.3
mW/°C
VGS
Gate-to-Source Voltage
士 16
V
EAS
Single Pulse Avalanche Energy0
32
mJ
IAR
Avalanche CurrentCD
2.0
A
EAR
Repetitive Avalanche EnergyCD*
0.1
mJ
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt a>
7.2
V/ns
TJ, TSTG
Junction and Storage Temperature Range
-55 to + 150
°C
IRLL014NTRPBF
IR
SOT-223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
