IRFH5215TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：27 A
Rds上漏源导通电阻：58毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5 V
Qg-血浆甲醛：21 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：3.6 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.83毫米
长度：6 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：21 S
下降时间：2.9 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：6.3 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：11 ns
典型起始延迟时间：6.7 ns
零件号别名：IRFH5215TRPBF SP001554700
应用领域
一次侧同步整流
直流电动机用变频器
DC-DC砖应用
升压转换器
特征

低RDSon（<58mΩ）
低热阻PCB（<1.2°C / W）
已通过100％汞测试
薄型（<0.9毫米）
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，工业资格
好处

降低传导损耗
功率密度增加
可靠性更高
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	150	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
I_D @ T_A = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	5.0	A
I_D @ T_A = 70°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	4.0
ID @ TC(Bottom) = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	27
ID @ TC(Bottom) = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	17
IDM	Pulsed Drain Current Q)	108
P_D @T_A = 25°C	Power Dissipation CT	3.6	W
PD @ TC(Bottom) = 25°C	Power Dissipation CT	104	W
	Linear Derating Factor CT	0.029	W/°C
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

型号/规格

IRFH5215TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装