IRFU5305PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-251-3
晶体管极性：P-Channel
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：31 A
Rds上漏源导通电阻：65毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-血浆甲醛：42 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：110 W
封装：Tube
配置：单
高度：6.22毫米
长度：6.73 mm
晶体管类型：1 P通道
宽度：2.38毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：8 S
下降时间：63 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：66 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：39 ns
典型起始延迟时间：14 ns
零件号别名：IRFU5305PBF SP001550274
单位重量：4 g

特征

•超低导通电阻
•表面贴装（IRFR5305）
•直引线（IRFU5305）
•先进的工艺技术
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ -10V	-31	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ -10V	-22
IDM	Pulsed Drain Current CD®	-110
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	110	W
	Linear Derating Factor	0.71	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy0®	280	mJ
IAR	Avalanche CurrentCD®	-16	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	11	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt a>®	-5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 srew	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRFU5305PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-251

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装