IRFP4332PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
认证:

深圳市凯斯宇科技有限公司

金牌会员14年

全部产品 进入商铺

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:250 V
Id-连续直流电流:57 A
Rds上漏源导通电阻:33毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:30 V
Qg-血浆甲醛:99 nC
最小工作温度:-40 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:360 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.31毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-加速度:100 S
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFP4332PBF SP001578038
单位重量:38 g
特征
•先进的工艺技术
•针对PDP维持,能量回收和通道切换应用优化的关键参数
•低EPULSE额定值,以减少PDP维持,能量回收和通行开关应用中的功耗
•低质量保证,快速响应
•高重复峰值电流能力,确保可靠运行
•缩短下降和上升时间以实现快速切换
•175°C的工作结温,以提高坚固性
•重复的雪崩能力,具有坚固性和可靠性

描述
这款HEXFET®功率MSFET专为Sustain设计。 等离子显示面板中的能量回收和通过开关应用。 该MOSFET利用最新的处理技术来实现较低的每硅面积导通电阻和低EPULSE额定值。 该MSFET的其他功能是175°C的工作结温和高重复峰值电流能力。 这些特性相结合,使该MOSFET成为用于PDP驱动应用的高效,坚固和可靠的器件。
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VGS

Gate-to-Source Voltage

±30

V

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

57

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

40

IDM

Pulsed Drain Current Q)

230

IRP @ TC = 100°C

Repetitive Peak Current CT@

120

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

360

W

PD @TC = 100°C

Power Dissipation

180

 

Linear Derating Factor

2.4

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-40  to + 175

°C

 

Soldering Temperature for 10 seconds

300

 

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

10lb"in (1.1N"m)

N

型号/规格

IRFP4332PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装