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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续直流电流:43 A
Rds上漏源导通电阻:12.6毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:22 nC
Pd-功率耗散:71 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
MOSFET工厂包装数量:2000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFR3806TRPBF SP001564890
单位重量:4 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的Gate,雪崩和动态dv / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
最大绝对额定值
Symbol
Parameter
Max.
Units
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
43
A
ID @ TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
31
IDM
Pulsed Drain Current G)
170
PD @TC = 25°C
Maximum Power Dissipation
71
W
Linear Derating Factor
0.47
W/°C
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 20
V
dv/dt
Peak Diode Recovery CT
24
V/ns
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case)
300
热阻
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Units
RqJC
Junction-to-Case ®
–––
2.12
°C/W
RqCS
Case-to-Sink, Flat Greased Surface
0.50
–––
RqJA
Junction-to-Ambient 0®
–––
62
IRFR3806TRPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装